| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-363 |
反向电压VrReverse Voltage| 10V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 100mA/0.1A 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 500mV/0.5V 最大耗散功率PdPower dissipation| 200MW/0.2W Description & Applications| . Low Voltage High Speed Switching Application . HN2S01FU is composed of 3 independent Schottky Barrier diodes. . Low reverse current: VF = 0.23V (typ.) @IF = 5mA 描述与应用| .低压高速开关应用 .HN2S01FU是由3个独立的肖特基二极管并排。 .低反向电流：VF=0.23V（典型值）@ IF=5毫安
Toshiba（东芝）
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HN2S01FU 肖特基二极管 10V 100mA/0.1A 500mV/0.5V SOT-363/US6/SC70-6 marking/标记 A6 低压高速开关
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