1SS399 数据手册 - Toshiba（东芝）

反向电压VrReverse Voltage | 400V \---|--- 平均整流电流IoAverage Rectified Current | 0.1A 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1.3V 反向恢复时间TrrReverse Recovery Time | 0.5μs 最大耗散功率PdPower Dissipation | 150mW/0.15W Description & Applications | FeAtures • TOSHIBA Diode Silicon EpitAxiAl PlAnAr Diode • High-VoltAge, High-Speed Switching ApplicAtions Low forwArd VoltAge : VF = 1.0V (typ.) High VoltAge : VR = 400V (min.) FAst reVerse recoVery time : trr = 0.5µs (typ.) SmAll totAl cApAcitAnce : CT = 2.5pF (typ.) SmAll pAckAge : SC-61 描述与应用 | 特点 •东芝二极管硅外延平面二极管 •高电压，高速开关应用 低正向电压VF= 1.0V（典型值） 高电压：VR= 400V（最小） 快速反向恢复时间：TRR =为0.5μs（典型值） 小总电容：CT=2.5pF的（典型值） 小型封装：SC-61