| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 4A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.039Ω/Ohm @2A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 700mW/0.7W Description & Applications| DC-DC Converter High Speed Switching Applications • Small Package • Low ON-resistance : Ron = 39 mΩ (max) (@VGS = 10 V) Ron = 57 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) • High speed : ton = 24 ns (typ.) 描述与应用| DC-DC转换器 高速开关应用 •小包装 •低导通电阻：RON =39MΩ（最大）（@ VGS=10 V） 罗恩=57MΩ（最大）（@ VGS=4.5 V） •高速：吨=24 ns（典型值
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
SSM3K14T N沟道MOSFET 30V 4A SOT-23/SC-59 marking/标记 KDK
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TOSHIBA SSM3K14T(TE85L,F) 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 39 mohm, 10 V, 2.5 V
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