| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 0.4 MHz |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 5.00 V, 5.50 V (max) |
| 工作电压 | 4.5V ~ 5.5V |
| 封装 | DIP-8 |
| 供电电流 | 3 mA |
| 针脚数 | 8 Position |
| 时钟频率 | 400 kHz |
| 存取时间 | 900 ns |
| 内存容量 | 125 B |
| 输入电容 | 10 pF |
| 上升时间 | 300 ns |
| 下降时间 | 300 ns |
| 存取时间(Max) | 900 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 4.5V ~ 5.5V |
| 电源电压(Max) | 5.5 V |
| 电源电压(Min) | 4.5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.16 mm |
| 宽度 | 6.35 mm |
| 高度 | 3.3 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ |
Microchip（微芯）
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Microchip（微芯）
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Microchip（微芯）
MICROCHIP 24C01C-I/P 芯片, 存储器, EEPROM, 1Kb, I2C, 400KHz, DIP-8
Microchip（微芯）
24C01系列 1kb I2C 双线接口(128x8位) 5V 串行 电可擦除PROM 表面贴装-SOIC-8
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24C01C I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 24C01C 系列设备是 1 Kbit EEPROM 芯片，按照单块 128 x 8 字节内存组织，并具有 I2C 兼容的 2 线串行接口。### 特点单电源，工作电压为 4.5V 至 5.5V 低功率 CMOS 技术 – 读取电流 1 mA，待机电流 5 μA（两者均为最大值） 2 线串行接口，I2C® 兼容 级联多达八台设备 Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制 输出斜率控制，用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 最大页面写入时间为 1 ms 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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24C01C I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 24C01C 系列设备是 1 Kbit EEPROM 芯片，按照单块 128 x 8 字节内存组织，并具有 I2C 兼容的 2 线串行接口。### 特点单电源，工作电压为 4.5V 至 5.5V 低功率 CMOS 技术 – 读取电流 1 mA，待机电流 5 μA（两者均为最大值） 2 线串行接口，I2C® 兼容 级联多达八台设备 Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制 输出斜率控制，用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 最大页面写入时间为 1 ms 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
Microchip（微芯）
1K 5.0V I2C ™串行EEPROM 1K 5.0V I2C™ Serial EEPROM
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1K 5.0V ⑩ I2C串行EEPROM 1K 5.0V I2C ⑩ Serial EEPROM
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1K 5.0V ⑩ I2C串行EEPROM 1K 5.0V I2C ⑩ Serial EEPROM
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1K 5.0V ⑩ I2C串行EEPROM 1K 5.0V I2C ⑩ Serial EEPROM
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1K 5.0V ⑩ I2C串行EEPROM 1K 5.0V I2C ⑩ Serial EEPROM
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1K 5.0V ⑩ I2C串行EEPROM 1K 5.0V I2C ⑩ Serial EEPROM
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