类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 0.4 MHz |
引脚数 | 8 Pin |
电源电压 | 5.00 V, 5.00 V (max) |
工作电压 | 4.5V ~ 5.5V |
封装 | SOIC-8 |
供电电流 | 3 mA |
时钟频率 | 400 kHz |
存取时间 | 900 ns |
内存容量 | 125 B |
输入电容 | 10 pF |
上升时间 | 300 ns |
下降时间 | 300 ns |
存取时间(Max) | 900 ns |
工作温度(Max) | 85 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
电源电压 | 4.5V ~ 5.5V |
电源电压(Max) | 5.5 V |
电源电压(Min) | 4.5 V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 4.9 mm |
宽度 | 3.9 mm |
高度 | 1.5 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 85℃ |
24C01C I²C™ 串行 EEPROM
●Microchip 24C01C 系列设备是 1 Kbit EEPROM 芯片,按照单块 128 x 8 字节内存组织,并具有 I2C 兼容的 2 线串行接口。
●### 特点
●单电源,工作电压为 4.5V 至 5.5V
●低功率 CMOS 技术 – 读取电流 1 mA,待机电流 5 μA(两者均为最大值)
●2 线串行接口,I2C® 兼容
●级联多达八台设备
●Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制
●输出斜率控制,用于消除地面颤动
●100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性
●最大页面写入时间为 1 ms
●自定时擦除/写入周期
●16 字节页面写入缓冲器
●超过 100 万个擦除/写入周期
●数据保留 >200 年
Microchip(微芯)
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Microchip(微芯)
MICROCHIP 24C01C-I/P 芯片, 存储器, EEPROM, 1Kb, I2C, 400KHz, DIP-8
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24C01系列 1kb I2C 双线接口(128x8位) 5V 串行 电可擦除PROM 表面贴装-SOIC-8
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24C01C I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 24C01C 系列设备是 1 Kbit EEPROM 芯片,按照单块 128 x 8 字节内存组织,并具有 I2C 兼容的 2 线串行接口。### 特点单电源,工作电压为 4.5V 至 5.5V 低功率 CMOS 技术 – 读取电流 1 mA,待机电流 5 μA(两者均为最大值) 2 线串行接口,I2C® 兼容 级联多达八台设备 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 最大页面写入时间为 1 ms 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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24C01C I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 24C01C 系列设备是 1 Kbit EEPROM 芯片,按照单块 128 x 8 字节内存组织,并具有 I2C 兼容的 2 线串行接口。### 特点单电源,工作电压为 4.5V 至 5.5V 低功率 CMOS 技术 – 读取电流 1 mA,待机电流 5 μA(两者均为最大值) 2 线串行接口,I2C® 兼容 级联多达八台设备 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 最大页面写入时间为 1 ms 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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1K 5.0V I2C ™串行EEPROM 1K 5.0V I2C™ Serial EEPROM
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1K 5.0V ⑩ I2C串行EEPROM 1K 5.0V I2C ⑩ Serial EEPROM
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1K 5.0V ⑩ I2C串行EEPROM 1K 5.0V I2C ⑩ Serial EEPROM
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