Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Microsemi（美高森美） > 2N3637UB Datasheet 文档
2N3637UB
来自 AiPCBA

2N3637UB 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:双极性晶体管
封装:SMD-3
描述:PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
PDF文件:2N3637UB 数据手册 (5 页)封装尺寸在4 页5 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
2N3637UB 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

2N3637UB 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SMD-3
极性PNP
功耗1 W
击穿电压(集电极-发射极)175 V
集电极最大允许电流1A
最小电流放大倍数100 @50mA, 10V
额定功率(Max)1.5 W
工作温度(Max)200 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)1000 mW
查看数据手册 >

2N3637UB 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
材质Silicon
长度3.25 mm
宽度2.74 mm
高度1.8 mm
工作温度-65℃ ~ 200℃ (TJ)
查看数据手册 >

2N3637UB 数据手册

2N3637UB 数据手册
Microsemi（美高森美）
5 页 / 0.16 MByte

2N3637 数据手册

2N3637 数据手册
Microsemi（美高森美）
PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
2N3637 数据手册
Multicomp
MULTICOMP  2N3637  单晶体管 双极, PNP, -175 V, 200 MHz, 5 W, 1 A, 50 hFE
2N3637 数据手册
Semelab
2N3637 数据手册
Microchip（微芯）
2N3637 数据手册
Advanced Semiconductor
2N3637 数据手册
Semicoa Semiconductor
2N3637 数据手册
Solid State Devices
2N3637 数据手册
Crystalonics
2N3637 数据手册
Motorola（摩托罗拉）
2N3637 数据手册
Central Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet