| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-205 |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
| 最小电流放大倍数 | 25 @50mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 工作温度(Max) | 200 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Bulk |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -65℃ ~ 200℃ (TJ) |
RF 晶体管 NPN 30V 400mA 400MHz 1W 通孔 TO-39
Microsemi（美高森美）
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Central Semiconductor
2N 系列 30 V 400 mA NPN 通孔 硅 高频 晶体管 - TO-39
Microsemi（美高森美）
射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
Solid State
SOLID STATE 2N3866 晶体管 双极-射频, NPN, 30 V, 800 MHz, 5 W, 400 mA, 10 hFE
Microsemi（美高森美）
射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
Microsemi（美高森美）
NPN硅高频晶体管 NPN SILICON HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR
Microsemi（美高森美）
NPN硅高频晶体管 NPN SILICON HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR
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