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2N5458G
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2N5458G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:JFET晶体管
封装:TO-226-3
描述:JFET的 - 通用型N沟道 - 耗尽 JFETs − General Purpose N−Channel − Depletion
PDF文件:2N5458G 数据手册 (5 页)封装尺寸在5 页
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2N5458G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)25.0 V
额定电流10 mA
封装TO-226-3
击穿电压-25.0 V
漏源极电阻2.00 mΩ
极性N-Channel
功耗625 mW
输入电容7 pF
漏源极电压(Vds)25 V
漏源击穿电压25 V
栅源击穿电压25 V
击穿电压25 V
输入电容值(Ciss)7pF @15V(Vds)
额定功率(Max)310 mW
工作温度(Max)135 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)310 mW
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2N5458G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Bulk
工作温度135℃ (TJ)
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2N5458G 数据手册

2N5458G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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