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2N5551RL1G
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2N5551RL1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-92-3
描述:放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon
PDF文件:2N5551RL1G 数据手册 (6 页)封装尺寸在6 页
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符号图
焊盘图
引脚图
产品图
2N5551RL1G 数据手册 (6 页)
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2N5551RL1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率300 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)160 V
额定电流600 mA
封装TO-92-3
极性NPN
功耗625 mW
增益频宽积300 MHz
击穿电压(集电极-发射极)160 V
集电极最大允许电流0.6A
最小电流放大倍数80 @10mA, 5V
额定功率(Max)625 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)625 mW
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2N5551RL1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度5.2 mm
宽度4.19 mm
高度5.33 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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2N5551RL1G 数据手册

2N5551RL1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.08 MByte
2N5551RL1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
11 页 / 0.39 MByte
2N5551RL1G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.05 MByte
2N5551RL1G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
13 页 / 0.34 MByte

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