类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 300 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 160 V |
额定电流 | 600 mA |
封装 | TO-92-3 |
极性 | NPN |
功耗 | 0.625 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 160 V |
集电极最大允许电流 | 0.6A |
最小电流放大倍数 | 80 @10mA, 5V |
额定功率(Max) | 625 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 625 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 5.2 mm |
宽度 | 4.19 mm |
高度 | 5.33 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 160 V 600 mA 300MHz 625 mW 通孔 TO-92(TO-226)
ON Semiconductor(安森美)
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放大器晶体管 Amplifier Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N5551 单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 150 MHz, 625 mW, 600 mA, 80 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
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