| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 4 MHz |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 额定电压(DC) | -80.0 V |
| 额定电流 | -25.0 A |
| 封装 | TO-204-2 |
| 针脚数 | 2 Position |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 200 W |
| 增益频宽积 | 4 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 热阻 | 0.875℃/W (RθJC) |
| 集电极最大允许电流 | 25A |
| 最小电流放大倍数 | 20 |
| 最大电流放大倍数 | 100 |
| 额定功率(Max) | 200 W |
| 直流电流增益(hFE) | 4 |
| 工作温度(Max) | 200 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tray |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 39.37 mm |
| 宽度 | 26.67 mm |
| 高度 | 8.51 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 200℃ |
PNP 功率晶体管，ON Semiconductor
●### 标准
●带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
●### 双极性晶体管，On Semiconductor
●ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
●小信号晶体管
●功率晶体管
●双晶体管
●复合晶体管对
●高电压晶体管
●射频晶体管
●双极/FET 晶体管
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
互补硅大功率晶体管 Complementary Silicon High−Power Transistors
ST Microelectronics（意法半导体）
互补硅大功率管 COMPLEMENTARY SILICON HIGH POWER TRANSISTORS
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