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BFR193FH6327XTSA1
来自 AiPCBA

BFR193FH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:双极性晶体管
封装:PG-TSFP-3
描述:晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
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BFR193FH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率8000 MHz
引脚数3 Pin
封装PG-TSFP-3
针脚数3 Position
功耗580 mW
输入电容2.25 pF
击穿电压(集电极-发射极)12 V
增益12.5 dB
最小电流放大倍数70 @30mA, 8V
额定功率(Max)580 mW
直流电流增益(hFE)70
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)580 mW
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BFR193FH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度150℃ (TJ)
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BFR193FH6327XTSA1 数据手册

BFR193FH6327XTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
6 页 / 0.52 MByte
BFR193FH6327XTSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
BFR193FH6327XTSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
7 页 / 0.51 MByte
BFR193FH6327XTSA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.13 MByte

BFR193FH6327 数据手册

BFR193FH6327 数据手册
Infineon（英飞凌）
Infineon### 双极晶体管，Infineon
BFR 193F H6327 数据手册
Infineon（英飞凌）
BFR193FH6327XTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
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