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BFR 193L3 E6327
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BFR 193L3 E6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:双极性晶体管
封装:PG-TSLP-3
描述:射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
PDF文件:BFR 193L3 E6327 数据手册 (6 页)引脚图在1 页Hot
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BFR 193L3 E6327 数据手册 (6 页)
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BFR 193L3 E6327 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)12.0 V
额定电流65.0 mA
封装PG-TSLP-3
额定功率0.58 W
输入电容2.25 pF
击穿电压(集电极-发射极)12 V
增益12.5dB ~ 19dB
最小电流放大倍数70 @30mA, 8V
最大电流放大倍数70 @30mA, 8V
额定功率(Max)580 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)580 mW
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BFR 193L3 E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度2.9 mm
宽度1.3 mm
高度1 mm
工作温度150℃ (TJ)
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BFR 193L3 E6327 数据手册

BFR 193L3 E6327 数据手册
Infineon（英飞凌）
6 页 / 0.48 MByte
BFR 193L3 E6327 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
BFR 193L3 E6327 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.03 MByte

BFR193L3 数据手册

BFR193L3 数据手册
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NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
BFR193L3E6327 数据手册
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射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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