类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 4 MHz |
引脚数 | 2 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 600 mA |
封装 | TO-204-2 |
针脚数 | 2 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 200 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
热阻 | 0.875℃/W (RθJC) |
集电极最大允许电流 | 25A |
最小电流放大倍数 | 20 |
最大电流放大倍数 | 100 |
额定功率(Max) | 200 W |
直流电流增益(hFE) | 4 |
工作温度(Max) | 200 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 200000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tray |
材质 | Silicon |
长度 | 39.37 mm |
宽度 | 26.67 mm |
高度 | 8.51 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 200℃ |
NPN 功率晶体管,ON Semiconductor
●### 标准
●带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
●### 双极性晶体管,On Semiconductor
●ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:
●小信号晶体管
●功率晶体管
●双晶体管
●复合晶体管对
●高电压晶体管
●射频晶体管
●双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
互补硅大功率晶体管 Complementary Silicon High−Power Transistors
Central Semiconductor
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Power SW
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