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2N6193
来自 AiPCBA

2N6193 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-39-3
描述:PNP中功率硅晶体管 PNP MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR
PDF文件:2N6193 数据手册 (2 页)
Pictures:
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焊盘图
引脚图
产品图
2N6193 数据手册 (2 页)
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2N6193 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-39-3
功耗1 W
击穿电压(集电极-发射极)100 V
最小电流放大倍数60 @2A, 2V
额定功率(Max)1 W
工作温度(Max)200 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)1000 mW
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2N6193 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bag
材质Silicon
工作温度-65℃ ~ 200℃ (TJ)
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2N6193 数据手册

2N6193 数据手册
Microsemi（美高森美）
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