Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor（安森美） > 2N6341G Datasheet 文档
2N6341G
来自 AiPCBA

2N6341G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-204-2
描述:高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors
PDF文件:2N6341G 数据手册 (5 页)封装尺寸在5 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
2N6341G 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

2N6341G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率40 MHz
引脚数2 Pin
额定电压(DC)150 V
额定电流25.0 A
封装TO-204-2
针脚数2 Position
极性NPN
功耗200 W
击穿电压(集电极-发射极)150 V
集电极最大允许电流25A
最小电流放大倍数30 @10A, 2V
最大电流放大倍数120
额定功率(Max)200 W
直流电流增益(hFE)40
工作温度(Max)200 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)200000 mW
查看数据手册 >

2N6341G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tray
材质Silicon
工作温度-65℃ ~ 200℃ (TJ)
查看数据手册 >

2N6341G 数据手册

2N6341G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.14 MByte
2N6341G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.18 MByte
2N6341G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.03 MByte

2N6341 数据手册

2N6341 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors
2N6341 数据手册
Microsemi（美高森美）
NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N6341 数据手册
Multicomp
MULTICOMP  2N6341  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 40 MHz, 200 W, 25 A, 120 hFE
2N6341 数据手册
Advanced Semiconductor
2N6341 数据手册
API Technologies
2N6341 数据手册
Solitron Devices
2N6341 数据手册
Semelab
2N6341 数据手册
Crystalonics
2N6341 数据手册
ProTek Devices
2N6341 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: 2N6341 数据手册
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet