| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 80.0 V |
| 额定电流 | 10.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 输出电压 | 80 V |
| 输出电流 | 10 A |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 2 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 热阻 | 62.5℃/W (RθJA) |
| 集电极最大允许电流 | 10A |
| 最小电流放大倍数 | 1000 @5A, 3V |
| 最大电流放大倍数 | 20000 |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 65 W |
| 输入电压 | 5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.75 mm |
| 宽度 | 10.28 mm |
| 高度 | 4.82 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
NPN 复合晶体管，On Semiconductor
●### 标准
●带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
●### 双极性晶体管，On Semiconductor
●ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
●小信号晶体管
●功率晶体管
●双晶体管
●复合晶体管对
●高电压晶体管
●射频晶体管
●双极/FET 晶体管
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ST Microelectronics（意法半导体）
硅NPN功率达林顿晶体管 SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR
ON Semiconductor（安森美）
塑料中功率硅晶体管 Plastic Medium-Power Silicon Transistors
Multicomp
MULTICOMP 2N6388 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 65 W, 10 A, 1000 hFE
Micro Commercial Components（美微科）
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