| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 200 mA |
| 封装 | TO-92-3 |
| 漏源极电阻 | 5.00 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 350mW (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 200 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 60pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 耗散功率(Max) | 350mW (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor（安森美）
小信号MOSFET 200毫安， 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.8 ohm, 4.5 V, 2.1 V
National Semiconductor（美国国家半导体）
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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