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2SA1941-O(Q)
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2SA1941-O(Q) 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:Toshiba（东芝）
分类:双极性晶体管
封装:TO-3-3
描述:三极管(BJT) 2SA1941-O(Q) TO-3PN
PDF文件:2SA1941-O(Q) 数据手册 (4 页)
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2SA1941-O(Q) 数据手册 (4 页)
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2SA1941-O(Q) 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率30 MHz
引脚数3 Pin
封装TO-3-3
额定功率100 W
极性PNP
功耗100 W
击穿电压(集电极-发射极)140 V
集电极最大允许电流10A
最小电流放大倍数35
最大电流放大倍数83
额定功率(Max)100 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)100000 mW
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2SA1941-O(Q) 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
材质Silicon
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2SA1941-O(Q) 数据手册

2SA1941-O(Q) 数据手册
Toshiba（东芝）
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