| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 7.5 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 0.35 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 70.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 115 mA |
| 正向电压(Max) | 1.3 V |
| 输入电容值(Ciss) | 30pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温 | -55℃ ~ 150℃ |
| 耗散功率(Max) | 350 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.04 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1.02 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
| 最小包装数量 | 3000 |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V 最大漏极电流Id Drain Current | 300mA/0.3A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 2Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation | 350mW/0.35W Description & Applications | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Features N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Low On-Resistance: 2 Ω Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 ns Low Input and Output Leakage TrenchFET® Power MOSFET 2000 V ESD Protection 描述与应用 | N沟道60-V（D-S）的MOSFET 特性 N沟道60-V（D-S）的MOSFET 低导通电阻：2Ω 低阈值：2 V（典型值 低输入电容：25 pF 开关速度快：25纳秒 低输入和输出泄漏 的TrenchFET®功率MOSFET 2000 V ESD保护
VISHAY（威世）
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N通道60 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
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N沟道MOSFET 60V 300mA SOT-23 代码 7K 坚固
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