2SA1203 数据手册 - Toshiba（东芝）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −30V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -1.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 120MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 160~320 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -2V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) suitable for output stage of 3 watts amplifier； PC=1~2w; small flat package; complementary to 2SC2883 描述与应用| 硅PNP外延式（PCT的进程） 适用于3瓦放大器的输出级; PC= 1〜2W; 小扁平封装; 2SC2883互补