类型 | 描述 |
---|
封装 | SOT-163 |
极性 | P-CH |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.5A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -5.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.033Ω @-2.8A,-4.5V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.5--1.2V 耗散功率PdPower Dissipation| 2.2W Description & Applications| Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 48 mΩ (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.2 S (typ.) Low leakage current: IDSS = −10 µA (max) (VDS = −20 V) Enhancement-model: Vth = −0.5 to −1.2 V (VDS = −10 V, ID = −200 µA) 描述与应用| 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 低漏源导通电阻RDS(ON)= 48mΩ(典型值) 高正向转移导纳:| YFS|= 8.2 S(典型值) 低漏电流:IDSS= -10μA(最大)(VDS=-20 V) 增强模式:VTH =-0.5至-1.2 V(VDS= -10 V,ID= -200μA)
Toshiba(东芝)
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