2SA1330 数据手册 - NEC（日本电气）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -200V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | -200V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 120MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 200~450 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -210mV/-0.21V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | High voltage amplifier and switching PNP silicon epitaxial transistor mini mold high DC current gain； high voltage ； complementary to 2sc3360 描述与应用 | 高电压放大器和开关 PNP硅外延晶体管 小型模具 高直流增益; 高电压; 互补2SC3360