集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −80V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 80MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 90~180 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -290mV/-0.29V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 2W Description & Applications| PNP silicon epitaxial transistor power mini mold high collector to base voltage； excellent DC current gain linearity； complementary to 2SD1005 描述与应用| PNP硅外延晶体管电源小型模具 高集电极基极电压; 优良的直流电流增益线性度; 2SD1005互补
NEC（日本电气）
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