2SA1463 数据手册 - NEC（日本电气）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 400MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 60~120 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -260mV/-0.26V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 2W Description & Applications| High speed switching PNP silicon epitaxial transistor power mini mold high speed ，high voltage switching； low collector saturation voltage； complementary to 2SC3736 描述与应用| 高速开关 PNP硅外延晶体管 电源小型模具 高速，高电压开关; 集电极饱和电压低; 2SC3736互补