集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | −40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 82~180 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −600mV/-0.6V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | Medium Power Transistor Features 1) Large IC. ICMAX.= -500mA 2) Low VCE(sat). Ideal for low-voltage operation. 3) Complements the 2SC4097 描述与应用 | 中等功率晶体管 特点 1）大输出电流。 ICMAX=500毫安 2）低VCE（sat）的。 为低电压操作的理想选择。 3）补充2SC4097
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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中功率晶体管 Medium Power Transistor
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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PNP三极管 -40V -500mA 200MHz 180~390 -600mV SOT-323 代码 HR
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PNP三极管 -40V -500mA 200MHz 120~270 -600mV SOT-323 代码 HQ
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PNP三极管 -40V -500mA 200MHz 82~180 -600mV SOT-323 代码 HP
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