类型 | 描述 |
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封装 | SOT-323 |
极性 | PNP |
击穿电压(集电极-发射极) | -120V |
集电极最大允许电流 | -0.05A |
最小电流放大倍数 | 180 |
最大电流放大倍数 | 560 |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended |
最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -120V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| -120V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 140MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 180~560 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| high-voltage amplifier transistor Features 1) High breakdown voltage. (BVCEO = −120V) 2) Complements the 2SC4102 / 2SC3906K 描述与应用| 高电压放大器晶体管 特点 1)高的击穿电压。 (BVCEO=120V) 2)补充2SC4102/2SC3906K
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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