| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-323 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 11 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.05A |
| 最小电流放大倍数 | 56 |
| 最大电流放大倍数 | 270 |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 11V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 3.2GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 56~120 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | High-Frequency Amplifier TransHigh-Frequency Amplifier Transistor High transition frequency (fT= 1.5GHz) Small rbbi⋅Cc and high gain Small NF 描述与应用 | 高频放大器 晶体管 高转换频率（FT=1.5GHz） 高增益 小NF
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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