类型 | 描述 |
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封装 | SOT-323 |
极性 | PNP |
击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
集电极最大允许电流 | 0.5A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -35V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −30V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 70~240 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −800mV/-0.8V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 100mW/0.1W Description & Applications| silicon PNP epitaxial audio frequency low power amplifier application; driver amplifier applications; switching application; excellent hFE linearity; complement to 2sc4118 描述与应用| 硅PNP外延 低功耗音频放大器应用; 驱动放大器的应用; 开关应用程序; HFE出色的线性度; 补充2sc4118
Toshiba(东芝)
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