SSM6N36FE 数据手册 - Toshiba（东芝）

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流IdDrain Current| 500mA/0.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 630mΩ@ VGS = 5V, ID = 200mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.35~1.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type •High-Speed Switching Applications • 1.5-V drive • Low ON-resistance: Ron = 1.52 Ω (max) (@VGS = 1.5 V) : Ron = 1.14 Ω (max) (@VGS = 1.8 V) : Ron = 0.85 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 0.66 Ω (max) (@VGS = 4.5 V) : Ron = 0.63 Ω (max) (@VGS = 5.0 V) 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 •高速开关应用 •1.5-V驱动器 •低导通电阻：RON= 1.52Ω（最大值）（@ VGS= 1.5 V） ：RON =1.14Ω（最大）（@ VGS=1.8 V） ：RON =0.85Ω（最大值）（@ VGS=2.5 V） RON= 0.66Ω（最大）（@ VGS=4.5 V） ：RON =0.63Ω（最大）（@ VGS=5.0 V）