类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOT-23 |
极性 | PNP |
击穿电压(集电极-发射极) | 20 V |
集电极最大允许电流 | 1.5A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | -20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -1.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 125~500 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage | 0.14V/140mV 耗散功率PcPoWer Dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type . High-Speed Switching Applications. DC-DC Converter Applications. Strobe Applications .
● High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = 0.15 A) .
● Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = -0.14 V (max) .
● High-speed switching: tf = 37 ns (typ.) 描述与应用 | 东芝晶体管的硅PNP外延型。 高速开关应用。 DC-DC转换器应用。 频闪应用。
●高直流电流增益:HFE=200??500(IC= -0.15)。
●低集电极 - 发射极饱和电压VCE(星期六)=-0.14 V(最大值)。
●高速开关:TF=37 ns(典型值)。
Toshiba(东芝)
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