2SK1826 数据手册 - Toshiba（东芝）

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流Id Drain Current| 50mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 20Ω/Ohm @10mA,4V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON A CHANNEL MOS TYPE HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION ANALOG SWITCHING APPLICATION Features Silicon N-Channel MOS FET High speed switching application Analog switching application 4V gate drive Low threshold voltage High speed Enhancement-mode small package 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅A通道MOS型 高速开关应用 模拟开关应用 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关应用 模拟开关应用 4V栅极驱动 低阈值电压 高速 增强型 小包装