| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | -12V |
| 集电极最大允许电流 | -0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 270 |
| 最大电流放大倍数 | 680 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -15V
●\---|---
●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| -12V
●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −500mA/-0.5A
●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 260MHz
●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 270~680
●管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V
●耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W
●Description & Applications| Low frequency transistor Applications For switching, for muting. Features 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low
●描述与应用| 低频晶体管 应用 对于开关，静音。 特点 1）集电极电流是很大的。 2）集电极饱和电压低
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
2SA2119K PNP三极管 -15V -500mA/-0.5A 260MHz 270~680 -250mV/-0.25V SOT-23/SMT3 marking/标记 BW 静音/开关
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