| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 0.09 Ω |
| 极性 | P |
| 漏源极电压(Vds) | -20V |
| 连续漏极电流(Ids) | -3A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V
●\---|---
●最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V
●最大漏极电流IdDrain Current| -3A
●源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.055Ω @-3A,-4.5V
●开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.7--2.0V
●耗散功率PdPower Dissipation| 1W
●Description & Applications| Features Low On-resistance. Built-in G-S Protection Diode. Small and Surface Mount Package (TSMT3).
●描述与应用| 低导通电阻。 内置G-S的保护二极管。 小和表面贴装封装（TSMT3）
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
2.5V驱动N沟道MOSFET 2.5V Drive Nch MOSFET
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