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2SB1188T100P
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2SB1188T100P 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:双极性晶体管
封装:MPT-3
PDF文件:2SB1188T100P 数据手册 (4 页)
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2SB1188T100P 数据手册 (4 页)
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2SB1188T100P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
额定电压(DC)-32.0 V
额定电流-2.00 A
封装MPT-3
极性PNP
功耗2000 mW
增益频宽积100 MHz
击穿电压(集电极-发射极)32 V
集电极最大允许电流2A
最小电流放大倍数82 @500mA, 3V
最大电流放大倍数82 @0.5A, 3V
额定功率(Max)2 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)2000 mW
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2SB1188T100P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
长度4.5 mm
宽度2.5 mm
高度1.5 mm
工作温度150℃ (TJ)
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2SB1188T100P 数据手册

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