| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TO-252 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 集电极最大允许电流 | 4A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −80V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -4A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 2000 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -1.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1W Description & Applications| silicon PNP epitaxial type low saturation voltage； high DC current gain； complementary to 2SD1223 描述与应用| 硅PNP外延型 低饱和电压; 高直流增益; 2SD1223互补
Toshiba（东芝）
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