2SC3607 数据手册 - Toshiba（东芝）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 12V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 80mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 6.5Ghz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 30~250 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 400mW/0.4W Description & Applications| NPN epitaxial planar Silicon Transistors VHF~UHF band low noise amplifier applications Low Noise figure,high gain 描述与应用| NPN外延平面硅晶体管 VHF〜UHF频段低噪声放大器的应用 低噪声系数，高增益