| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-243 |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 12 V |
| 增益 | 10 dB |
| 最小电流放大倍数 | 50 @20mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 1.2 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
California Eastern Laboratories
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Renesas Electronics（瑞萨电子）
NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3 - pin电源MINIMOLD NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD
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