| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 250 mΩ |
| 功耗 | 40 W |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 上升时间 | 45 ns |
| 下降时间 | 55 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 16.3 mm |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Infineon（英飞凌）
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
Siemens Semiconductor（西门子）
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Infineon（英飞凌）
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9A ， 100V ， 0.250 Ohm的N通道功率MOSFET 9A, 100V, 0.250 Ohm, N-Channel Power MOSFET
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SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
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