| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | PW-MINI |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~400 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) power amplifier applications power switching applications Low Saturation Voltage High Speed Switching Time Small Flat Package Pc=1-2W 描述与应用| 东芝晶体管的硅NPN外延式（PCT的进程） 功率放大器应用 电源开关的应用 低饱和电压 高速开关时间 小型扁平封装 PC= 1-2W
Toshiba（东芝）
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