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IXFN55N50

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IXFN55N50 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:	IXYS Semiconductor
分类:	MOS管
封装:	SOT-227-4
描述:	IXYS SEMICONDUCTOR IXFN55N50 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 55 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 4.5 V
PDF文件:	IXFN55N50 数据手册 (4 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

IXFN55N50 数据手册 (4 页)

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IXFN55N50 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Chassis
引脚数	3 Pin
封装	SOT-227-4
额定功率	600 W
通道数	1 Channel
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.08 Ω
极性	N-Channel
功耗	600 W
阈值电压	4.5 V
漏源极电压(Vds)	500 V
漏源击穿电压	500 V
连续漏极电流(Ids)	55.0 A
上升时间	60 ns
隔离电压	2.50 kV
输入电容值(Ciss)	9400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	625 W
下降时间	45 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	625W (Tc)

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IXFN55N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Not Recommended for New Designs
包装方式	Tube
材质	Silicon
重量	46.0 g
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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