类型 | 描述 |
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封装 | SOT-523 |
极性 | NPN |
击穿电压(集电极-发射极) | 20 V |
集电极最大允许电流 | 0.05A |
最小电流放大倍数 | 82 |
最大电流放大倍数 | 180 |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 1.5GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 82~180 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| <500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Features •High-Frequency Amplifier Transistor (20V, 50mA, 1.5GHz) •High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz) •Small rbb’Cc and high gain. (Typ. 6ps) •Small NF. 描述与应用| 特点 •高频晶体管放大器(20V,50mA时1.5GHz的) •高转换频率(典型值英尺=1.5GHz的) •小RBBCC和高增益。 (6PS典型值) •小NF。
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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