类型 | 描述 |
---|
封装 | SOT-23 |
极性 | NPN |
击穿电压(集电极-发射极) | 11 V |
集电极最大允许电流 | 0.05A |
最小电流放大倍数 | 56 |
最大电流放大倍数 | 270 |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 21V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 12V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 3.2GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 82~180 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | High-Frequency Amplifier Transistor(11V, 50mA, 3.2GHz) High transition frequency(fT= 1.5GHz) Small NF 描述与应用 | 高频晶体管放大器(11V,50mA,3.2GHz) 高转换频率(FT =1.5GHz) 小NF
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2 页 / 0.05 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2 页 / 0.06 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
高频放大器晶体管( 11V , 50mA时为3.2GHz ) High-Frequency Amplifier Transistor(11V, 50mA, 3.2GHz)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM 2SC3838KT146N 单晶体管 双极, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 200 mW, 50 mA, 56 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2SC3838K NPN三极管 21V 50mA 3.2GHz 56~180 500mV/0.5V SOT-23/SC-59/SMT3 marking/标记 ADQ 高频晶体管放大器
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN三极管 21V 50mA 3.2GHz 82~180 500mV SOT-23 代码 ADP 高频晶体管放大器
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN三极管 21V 50mA 3.2GHz 56~120 500mV SOT-23 代码 ADN 高频晶体管放大器
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN三极管 21V 50mA 3.2GHz 56~180 500mV SOT-23 代码 ADQ 高频晶体管放大器
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件