| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | PW-MOLD |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 800 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.8A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 900V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 800V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 800mA/0.8A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| >10 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| <1V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| Silicon NPN triple diffused type switching regulator and high voltage switching application high speed DC-DC converter application excellent switching time high collector breakdown voltage 描述与应用| 硅NPN三重扩散类型 开关稳压器和高压开关 应用 高速的DC-DC转换器应用 出色的开关时间 集电极击穿电压高
Toshiba（东芝）
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