| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | 1206 |
| 功耗 | 700 mW |
| 稳压值 | 6.2 V |
额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min. | 5.6V \---|--- 平均Typ. | 6.2V 最大max. | 6.8V 误差Tolerance | 最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance | 30Ω/ohm 最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current | 10uA 最大耗散功率PdPower dissipation | 700mW/0.7W Description & Applications | Use in Communication, Automation and Measurement Equipment Constant Voltage Regulation Transient Suppressors Average power dissipation: P = 0.7 W Zener voltage: VZ = 6.2~47 V Suitable for compact assembly due to small surface-mount package "S−FLATTM" (Toshiba package name) TOSHIBA Zener Diode Silicon Epitaxial Type 描述与应用 | 在通讯，自动化与测量设备的使用 恒压调节 瞬态抑制器 平均功耗：P=0.7 W 齐纳电压：VZ=6.2〜47 V 适合小型汇编由于小型表面贴装封装 "S-FLATTM的"（东芝包装名） 东芝齐纳二极管硅外延型
Toshiba（东芝）
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