2SC5566 数据手册 - Sanyo Semiconductor（三洋）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 4A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 400MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200~560 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 85mV 耗散功率PcPower Dissipation| 1.3W Description & Applications| NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC/DC Converter Applications Applications · Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. Features · Adoption of FBET and MBIT processes. · High current capacitance. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · High-speed switching. · Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products. · High allowable power dissipation. 描述与应用| NPN平面外延硅晶体管 DC/ DC转换器应用 应用  ·继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，闪光灯。 特点  ·领养的FBET兆位过程。  ·高电流容量。  ·低集电极 - 发射极饱和电压。  ·高速开关。  ·超小包装便于在终端的小型化 产品。  ·高允许功耗。