| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 3.00 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 极性 | N-Channel, NPN |
| 功耗 | 15000 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 3A |
| 最小电流放大倍数 | 180 @500mA, 3V |
| 最大电流放大倍数 | 180 @500mA, 3V |
| 额定功率(Max) | 15 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 15000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 5.5 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 90MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 180~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| features
● Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC / IB = 2A / 0.2A) structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用| 特点
●低VCE（SAT）。 VCE（饱和）= 0.5V （IC / IB=2A/0.2A） 结构 外延平面型 NPN硅晶体管
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
3 页 / 0.07 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
4 页 / 0.05 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
1 页 / 0.12 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
2SD1760 NPN三极管 60V 3A 90MHz 120~270 500mV/0.5V TO-252/CPT3 marking/标记 D1760Q
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
功率晶体管（ 50V ， 3A ） Power Transistor (50V, 3A)
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
外延平面型硅NPN晶体管 Epitaxial planar type NPN silicon transistor
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
2SD1760TRP NPN三极管 60V 3A 90MHz 82~180 500mV/0.5V TO-252/CPT3 marking/标记 D1760
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
