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VNP10N06-E
来自 AiPCBA

VNP10N06-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:电源管理
封装:TO-220-3
描述:VNP10N06 系列 60 V 10 A 0.3 Ohm 完全 汽车保护 功率 Mosfet - TO-220-3
PDF文件:VNP10N06-E 数据手册 (11 页)原理图在1 页
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焊盘图
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VNP10N06-E 数据手册 (11 页)
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VNP10N06-E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
输出接口数1 Output
输出电流15 A
供电电流0.15 mA
针脚数3 Position
漏源极电阻300 mΩ
极性N-Channel
功耗42000 mW
漏源击穿电压60.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)10.0 A
输出电流(Max)6 A
输出电流(Min)6 A
输入数1 Input
耗散功率(Max)42000 mW
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VNP10N06-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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VNP10N06-E 数据手册

VNP10N06-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
11 页 / 0.35 MByte
VNP10N06-E 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
17 页 / 0.18 MByte
VNP10N06-E 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
30 页 / 0.31 MByte

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