2SD2211 T100Q 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 160V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 160V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 1.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 80MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 120~270 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 2V 耗散功率PcPower Dissipation | 2W Description & Applications | Power Transistor (160V , 1.5A) Features 1) High breakdown voltage.(BVCEO = 160V) 2) Low collector output capacitance. (Typ. 20pF at VCB = 10V) 3) High transition frequency.(fT = 80MHZ) 4) Complements the 2SB1275 / 2SB1236A. 描述与应用 | 功率晶体管（160V，1.5A） 特点 1）高的击穿电压（BVCEO=160V）。 2）低集电极输出电容。 （典型值20pF的VCB=10V） 3）高转换频率（FT =80MHZ）。 4）补充2SB1275/2SB1236A的。