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2SD2211 T100R
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2SD2211 T100R 技术参数、封装参数

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2SD2211 T100R 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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2SD2211T100 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN,1.5A,160V三极管
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN,1.5A,160V三极管
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
功率晶体管(160V,1.5A)特点1)高的击穿电压(BVCEO=160V)。2)低集电极输出电容。   (典型值20pF的VCB=10V)3)高转换频率(FT =80MHZ)。4)补充2SB1275/2SB1236A的。
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